磁控溅射沉积系统(Magnetron Sputtering Deposition System) | |
设备简介 该设备为双室多靶磁控溅射镀膜设备，主要用于磁控溅射的方法制备金属膜，半导体膜，陶瓷膜，介质复合膜及多层膜和其它化学反应膜及掺杂膜等。 |  |
主要设备参数(技术指标)： ＊ 溅射室极限真空度：≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)； ＊ 进样室极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后)； ＊ 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； ＊ 系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.6x10-4 Pa； 进样室40分钟可达到6.6x10-3 Pa； ＊ 系统停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa； ＊ 系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、进样室、样品库、退火炉、反溅靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 | |
等离子体化学气相沉积及磁控溅射系统 (Plasma enhanced chemical vapor deposition and magnetron sputtering system) | |
设备简介 本设备为等离子体化学气相沉积与磁控溅射系统连体设备，两个腔体共用一套真空系统。主要用于半导体行业生产所须的Si3N4，SiO2薄膜或聚合物薄膜以及碳纳米管等的生长。特点是成膜温度底、速度快、薄膜质量好。由进出片室系统、沉积室（P/N室、I室、热丝室等）、气路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。磁控溅射系统主要用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜，如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。 |  |
主要设备参数(技术指标)： ＊ 系统极限真空度：优于6.67*10-5Pa； ＊ 等离子体化学气相沉积真空室有效尺寸Φ400mm*300mm； ＊ 电极板尺寸Φ100mm（4英寸）； ＊ 样品盘尺寸Φ100mm（4英寸）； ＊ 加热温度室温～1000℃. 热丝架由4根组成，可拆卸，可加直流大电流，80V,60A. 灯丝表面温度：室温～1600℃； ＊ 磁控溅射系统 真空室为Φ450mm*300mm，电动上盖提升结构。磁控靶尺寸为2英寸，共有三个靶位， 有水冷，靶在下，样品在上，靶与样品距离40-80mm可调； ＊ 样品台基片尺寸为30mm，基片最高加热温度为800℃，由热电偶闭环反馈控制； ＊ 样品可加负偏压（200V）,可自转，手动控制样品挡板组件。 | |